摘要：财联社8月19日讯（记者 王碧微） DRAM价格连续上涨三个季度后，今年Q3仍保持强劲涨势。 据集邦咨询预测，Q3通用型DRAM合约价涨幅将高于之前预期约5个百分点。...
财联社8月19日讯（记者 王碧微） DRAM价格连续上涨三个季度后，今年Q3仍保持强劲涨势。
据集邦咨询预测，Q3通用型DRAM合约价涨幅将高于之前预期约5个百分点。
由于此次下游需求是结构性复苏，存储产业链企业的业绩表现差异明显。
三星、美光等上游DRAM原厂普遍在Q2业绩高增；而以A股上市公司佰维存储、朗科科技、江波龙等为代表的模组厂商则涨跌不一。
财联社记者多方采访了解到，在上游存储颗粒涨价、下游部分消费类产品跌价的双重影响下，如相关厂商未在上年价格低点进行足够囤货，则面临较大压力。
DRAM Q3涨幅超预期
去年，存储行业哀鸿遍野，据Yole数据，2023年DRAM年度销售额为520亿美元，是自2016年以来的最低水平。
从去年Q3开始，三星、海力士等存储原厂开始通过控产涨价，加上AI快速发展推动部分存储产品需求增加，以及厂商产能分配变化等因素，今年年初至今，存储原厂价格在上下游共同促进下持续飙涨。
根据集邦咨询统计，DRAM季度营收在Q1环比增长5.6个百分点达到183.5亿美元后，Q2环比再增长约24.8%，实现229.01亿美元营收，同比增幅达到100.4%。
集邦咨询分析师吴雅婷告诉财联社记者，今年上半年DRAM涨价主要由卖方推动。
主要原因是原厂先前的产能利用率较低，减产导致供应减少。与此AI的快速发展增加了HBM的需求量。
进入下半年后，产业预计将由下游需求推动复苏。
近日，集邦咨询上调了通用型DRAM第三季合约价涨幅为8%至13%，较原预估值提高约5个百分点。
集邦咨询分析师许家源表示，“这轮涨价超出预期受三个因素影响，首先是中国CSPs厂商们出于对未来市场波动的考虑，积极备货；其次HBM产能受限的情况愈加明显，部分厂商出现HBM3e影响DDR5的情况；此外市场采取了以量制价的策略。”
值得注意的是，此次存储价格上涨并不意味着市场整体回暖。“这轮存储回暖是结构性的，只有一些应用场景是有回暖的。”朗科科技证券部人士表示。
根据闪存市场最新终端产品报价，DDR4、SSD等消费级存储产品，在5月下半旬后，产品价格均有不同程度的小幅下跌。
