摘要：三星电子，SamsungElectronics，中国西安NANDFlash厂区第二工厂日前已成功扩建并投产，初步预期，月产可以到达26.5万片12吋晶圆，2012年9月，西安三星半导体一期名目动工树立，2014年5月建成投产，投资总额由建厂时方案的7
三星电子（SamsungElectronics）中国西安NANDFlash厂区第二工厂日前已成功扩建并投产。初步预期，月产可以到达26.5万片12吋晶圆。
2012年9月，西安三星半导体一期名目动工树立，2014年5月建成投产。投资总额由建厂时方案的70亿美元参与到实践成功投资108.7亿美元，其中闪存芯片名目投资100亿美元，封装测试名目投资8.7亿美元。
2017年8月30日，西安三星半导体投资70亿美元在西安高新区树立12英寸闪存芯片二期名目，新建一条闪存消费线。2019年12月，该公司选择再投资80亿美元，拟对二期名目启动扩建，成功增产及产品迭代。
据地下数据统计，经过此次扩建，三星电子的NAND闪存消费才干，极有或者占环球市场的10%以上。
